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參數(shù)資料
| 型號： | SI6968BEDQ-T1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection |
| 中文描述： | 雙N溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的共同排水，ESD保護 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SI6968BEDQ-T1 |
Si6968BEDQ
Vishay Siliconix
Document Number: 72274
S-31362—Rev. A, 30-Jun-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6968ADQ | N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch |
| SI6973DQ | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI6975DQ | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQ | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6991DQT-1 | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI6968BEDQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6968BEDQ-T1-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH 2.5-V (G-S) MOSFET COMMONDRAIN ESD |
| SI6968BEDQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6968DQ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch |
| SI6968DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 6.5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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