參數(shù)資料
型號： SI6923
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode
中文描述： P通道2.5V的指定的PowerTrench MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 92K
代理商： SI6923
Si6923DQ Rev. A (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
3
6
9
12
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= -3.5A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
5
10
15
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
F
, FORW ARD VOLTAGE (V)
I
F
,
T
J
= 100
o
C
T
J
= 25
o
C
0.00000001
0.0000001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0
5
10
15
20
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
,
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 135 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6923DQ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode
SI6928DQ Dual 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI692DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6933DQ Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
SI6943 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI6923DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.5A 1.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6924AEDQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
SI6924AEDQ_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
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