參數(shù)資料
型號(hào)： Si6820DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
中文描述： N溝道，降低Qg和，MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI6820DQ
Si6820DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70790
S-56936—Rev. C, 23-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
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0.08
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0.16
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1
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0
0.5
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–50
–25
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50
75
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125
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0
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12
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V
GS
= 5 thru 3,5 V
25 C
T
C
= 125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 3.5 V
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 1.9 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 3.0 V
2.5 V
2 V
–55 C
1.5 V
3 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6821DQ P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode
SI6876EDQ Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI6880AEDQ Specification Comparison
SI6880EDQ N-Channel 1.8-V (G-S) Battery Switch, ESD Protection
Si6880EDQ Specification Comparison
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參數(shù)描述
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