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參數(shù)資料
| 型號： | SI6801DQ |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | SPICE Device Model Si6801DQ |
| 中文描述： | 器件的SPICE模型Si6801DQ |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | SI6801DQ |
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71023
22-May-04
P-CHANNEL MOSFET
Click Here & UpgradeUnlimited Pages相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6802DQ | N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| Si6820DQ | N-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode |
| SI6821DQ | P-Channel, Reduced Qg, MOSFET with Schottky Diode |
| SI6876EDQ | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI6880AEDQ | Specification Comparison |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI6801DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 1.9/1.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6802DQ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| SI6802DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.3A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6803DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2.5/2.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI680M100 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
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