參數(shù)資料
型號(hào)： SI6459BDQ-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： SI6459BDQ-T1
Si6459DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70186
S-99446—Rev. D, 29-Nov-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–60
0.120 @ V
GS
= –10 V
2.6
0.150 @ V
GS
= –4.5 V
2.4
Si6459DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–60
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
2.6
A
T
A
= 70 C
2.1
Pulsed Drain Current
I
DM
30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.25
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.5
W
T
A
= 70 C
1.0
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R
thJA
83
C/W
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board, t
10 sec.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI6459DQ 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI6459DQ-T1 功能描述:MOSFET 60V 2.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6459DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 2.6A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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