參數(shù)資料
型號(hào): SI5975DC-T1
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述: 雙P溝道12 V的(副)MOSFET的
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 103K
代理商: SI5975DC-T1
Si5975DC
Vishay Siliconix
Document Number: 71320
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-
r
D
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0
2
4
6
8
10
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 3.1 A
I
D
-- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 3.1 A
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
-- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
-- Junction Temperature (
_
C)
(
-
r
D
)
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150
_
C
I
D
= 3.1 A
20
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 1.8 V
0
200
400
600
800
1000
0
3
6
9
12
T
J
= 25
_
C
C
rss
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5XX-EVB EVALUATION BOARD FOR Si53X XOS AND Si55X VCXOS
Si6423DQ P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI6542DQ P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI6562DQ N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI6801DQ SPICE Device Model Si6801DQ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5975DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 4.1A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5975DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5980DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5997DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5999EDU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube