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參數資料
| 型號： | SI5935DC |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SI5935DC |
Si5935DC
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
2
Document Number: 72220
S-31260—Rev. A, 16-Jun-03
SPECIFICATIONS (T
J
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
-0.4
1.0
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8
V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= -16 V, V
= 0 V
-1
A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85 C
-5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
-5 V, V
GS
= -4.5 V
-15
A
V
GS
= -4.5 V, I
D
= -3 A
0.069
0.086
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= -2.5 V, I
D
= -2.5 A
0.097
0.121
V
GS
= -1.8 V, I
D
= -0.6 A
0.137
0.171
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= -10
V, I
D
= -3 A
8
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= -0.9 A, V
GS
= 0 V
-0.8
-1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
5.5
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= -10 V,
V
GS
= -4.5 V, I
D
= -3 A
0.91
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
1.6
Turn-On Delay Time
t
d(on)
18
30
Rise Time
t
r
V
= -10 V, R
= 10
-1 A, V
GEN
= -4.5 V, R
G
= 6
32
50
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
I
D
42
65
ns
Fall Time
t
f
26
40
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= -0.9 A, di/dt = 100 A/ s
30
60
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
3
6
9
12
15
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 5 thru 3 V
T
C
= -55 C
125 C
2.5 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
2 V
1.5 V
1 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| SI5975DC-T1 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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