參數(shù)資料
型號(hào)： SI5933DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： SI5933DC
Si5933DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71238
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
--1
10
--2
10
--4
10
--3
10
--3
10
--2
1
10
600
10
--1
10
--4
100
--0.2
--0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
m
A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
-- Temperature (
_
C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 90
_
C/W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
--3
10
--2
1
10
10
--1
10
--4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5935DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5935DC-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5941DU Dual P-Channel 8-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
SI5933DC-T1 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5933DCT1E3 制造商:Vishay 功能描述:_
SI5933DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.6A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5933DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
SI5935CDC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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