參數(shù)資料
型號(hào)： SI5853DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
中文描述： 單P溝道MOSFET的總;集成肖特基;
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 122K
代理商： SI5853DC
Si5853DC
Vishay Siliconix
Document Number: 71239
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
MOSFET
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
= 5 thru 3 V
T
C
= --55
_
C
125
_
C
25
_
C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1.5 V
2 V
2.5 V
-
r
D
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
2
4
6
8
10
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
I
D
-- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.7 A
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
-- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
-- Junction Temperature (
_
C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 1.8 V
0
200
400
600
800
0
4
8
12
16
20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5853DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5905DC-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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