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參數資料
| 型號： | SI5509DC |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20V（D-S）MOSFET 低閾值 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 297K |
| 代理商： | SI5509DC |
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si5509DC
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
N-Ch
1.2
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
P-Ch
1.1
V
V
DS
≤
5 V, V
GS
= 4.5 V
N-Ch
46
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≤
5 V, V
GS
=
4.5 V
P-Ch
40
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 5 A
N-Ch
0.041
0.043
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
3.9 A
P-Ch
0.066
0.074
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 3.9 A
N-Ch
0.072
0.068
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
2.5 V, I
D
=
2.9 A
P-Ch
0.111
0.128
V
DS
= 10 V, I
D
= 5 A
N-Ch
12
10.4
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
3.9 A
P-Ch
12
8.2
S
I
S
= 2.4 A, V
GS
= 0 V
N-Ch
0.73
0.80
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
=
1.5 A, V
GS
= 0 V
P-Ch
0.80
- 0.80
V
Dynamic
b
N-Ch
506
455
Input Capacitance
C
iss
P-Ch
377
300
N-Ch
80
85
Output Capacitance
C
oss
P-Ch
92
95
N-Ch
28
50
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
N-Channel
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
P-Channel
V
DS
=
10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
P-Ch
61
65
pF
V
DS
= 10V, V
GS
= 5V, I
D
= 4 A
N-Ch
4.2
4.4
V
DS
=
10V, V
GS
=
5V, I
D
=
3.9 A
P-Ch
3.6
4.1
N-Ch
3.8
3.8
Total Gate Charge
Q
g
P-Ch
3.3
3.9
N-Ch
0.9
0.9
Gate-Source Charge
Q
gs
P-Ch
0.7
0.7
N-Ch
0.95
0.95
Gate-Source Charge
Q
gs
N-Channel
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5V, I
D
= 4 A
P-Channel
V
DS
=
10V, V
GS
=
4.5V, I
D
=
3.9 A
P-Ch
1.25
1.25
nC
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 74166
S-60411
Rev. A, 20-Mar-06
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI550 | VOLTAGE-CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR (VCXO) 10 MHZ TO 1.4 GHZ |
| SI5515DC | Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| Si5515DC-T1-E3 | SOCKET, FREE, SEALED, 4WAY RoHS Compliant: Yes |
| SI552 | DUAL FREQUENCY VCXO (10 MHZ TO 1.4 GHZ) |
| SI570 | ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI5509DC_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5509DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI5509DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:TrenchFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| SI5511DC | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI5511DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.0/3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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