參數(shù)資料
型號： SI5499DC-T1-GE3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 5/8頁
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描述： MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
標準包裝： 1
系列： TrenchFET®
FET 型： MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點： 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)： 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： 6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 36 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）： 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs： 35nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds： 1290pF @ 4V
功率 - 最大： 6.2W
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 1206-8 ChipFET?
包裝： 標準包裝
其它名稱： SI5499DC-T1-GE3DKR