參數(shù)資料
型號(hào)： SI5473DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI5473DC
Si5473DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72261
S-31265—Rev. A, 16-Jun-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
2
4
6
8
10
12
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
5
10
15
20
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 5.9 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 5.9 A
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 5.9 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 2.2 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5473DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5486DUV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5509DC P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5473DC-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5473DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5473DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5475BDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 6.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5475BDC-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
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