參數(shù)資料
型號: SI5445DC
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述: P通道的1.8 V(GS)的MOSFET的
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 104K
代理商: SI5445DC
Si5445DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71063
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
--1
10
--2
10
--3
10
--3
10
--2
1
10
600
10
--1
10
--4
100
--0.2
--0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
m
A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
-- Temperature (
_
C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 80
_
C/W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
--3
10
--2
1
10
10
--1
10
--4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI5445DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 7.1A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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