參數(shù)資料
型號(hào)： SI4967DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI4967DY-T1
Si4967DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 70813
S-31989—Rev. C, 13-Oct-03
SPECIFICATIONS (T
J
=25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
-0.45
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= -12 V, V
GS
= 0 V
-1
A
V
DS
= -12 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 70 C
-5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
-5 V, V
GS
= -4.5 V
-20
A
V
GS
= -4.5 V, I
D
= -7.5 A
V
GS
= -2.5 V, I
D
=
-6.7 A
0.019
0.023
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
0.024
0.030
V
GS
= -1.8 V, I
D
=
-5.4 A
0.033
0.045
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= -10 V, I
D
= -7.5 A
27
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= -1.7 A, V
GS
= 0 V
0.7
-1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
35
55
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= -6 V,
V
GS
= -10 V, I
D
= -7.5 A
7
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
7
Turn-On Delay Time
t
d(on)
25
50
Rise Time
t
r
V
= -6 V, R
= 10
-1 A, V
GEN
= -10 V, R
G
= 6
40
80
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
I
D
210
350
ns
Fall Time
t
f
95
150
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= -1.7 A, di/dt = 100 A/ s
50
80
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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