參數(shù)資料
型號： Si4963BDY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的2.5 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 78K
代理商： SI4963BDY-T1
Si4963BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72753
S-40235—Rev. A, 16-Feb-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
400
800
1200
1600
2000
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
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2
4
6
8
10
12
14
16
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
8
16
24
32
40
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
I
D
= 6.5 A
40
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 2 A
r
D
(
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PDF描述
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參數(shù)描述
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