參數(shù)資料
型號： Si4953DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 43K
代理商： SI4953DY-T1
Si4953DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
4
Document Number: 70153
S-31726—Rev. E, 18-Aug-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
-
r
D
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
- Temperature ( C)
Time (sec)
P
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
2
4
6
8
10
-0.3
-0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 4.9 A
I
D
= 250
μ
A
V
V
G
20
10
1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0
0.01
10
20
30
40
50
0.10
1.00
10.00
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
30
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 62.5 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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