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參數(shù)資料
| 型號： | SI4874DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrencha MOSFET |
| 中文描述： | 13000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | SI4874DY |
Si4874BDY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73058
S-41508—Rev. A, 09-Aug-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
20
25
30
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
C
rss
V
DS
= 15 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
1.0
1.2
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 16 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
C
oss
C
iss
r
D
(
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4876DY-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4876DY | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4886DY | N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
| SI4896DY-T1 | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SI4896DY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4874DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4874DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4874DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 15A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4874DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SI4876DY | 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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