參數(shù)資料
型號(hào)： SI4866DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開(kāi)關(guān)MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： SI4866DY
Si4866DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71699
S-03662—Rev. B, 14-Apr-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
0.001
0
1
200
80
120
10
0.01
Single Pulse Power
Time (sec)
40
160
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 67 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.1
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PDF描述
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