參數(shù)資料
型號： SI4850EY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
中文描述： N溝道低Qg，快速開關MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： SI4850EY
Si4850EY
Vishay Siliconix
Document Number: 71146
S-40572—Rev. D, 29-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
8
16
24
32
40
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
10
20
30
40
50
60
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 V
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.0 A
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
r
D
)
I
D
Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
2.0
2.5
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0
2
4
6
8
10
1
10
50
I
D
= 6.0 A
0.00
0.5
1.0
1.5
T
J
= 25 C
T
J
= 175 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
r
D
(
相關PDF資料
PDF描述
SI4850EY-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4860DY N-Channel MOSFET, 30V(D-S) , Reduced Qg, Fast-Switching
SI4862DY N-Channel 16-V (D-S) MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4850EY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-E3 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4850EY-T1 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 1.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4850EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60 Volt 8.5 Amp 3.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4850EY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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