參數(shù)資料
型號： SI4850EY-E3
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
中文描述： N溝道減少Q(mào)g和，快速開關(guān)MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： SI4850EY-E3
Si4850EY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71146
S-40572—Rev. D, 29-Mar-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
1.2
0.8
0.4
0.0
0.4
0.8
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
10
3
10
2
1
10
600
10
1
10
4
100
0.01
0
1
50
20
30
10
1000
0.1
Single Pulse Power
Time (sec)
10
40
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 75 C/W
3. T
JM
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
3
10
2
1
10
10
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4850EY-T1 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4860DY N-Channel MOSFET, 30V(D-S) , Reduced Qg, Fast-Switching
SI4862DY N-Channel 16-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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SI4850EY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI4850EY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 8.5A 3.3W 22mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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