參數(shù)資料
型號： SI4848DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道150V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： SI4848DY
Si4848DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71356
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
300
600
900
1200
0
30
60
90
120
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
5
10
15
20
25
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 75 V
I
D
= 3.5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 3.5 A
50
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4848DY-T1 N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4850EY N-Channel Reduced Qg, Fast-Switching MOSFET
SI4850EY-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4850EY-T1-E3 N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4848DY_06 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4848DY-E3 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4848DY-T1 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4848DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4848DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 3.7A 3.0W 85mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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