參數(shù)資料
型號： SI4822DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
中文描述： 12500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： SI4822DY
Si4822DY Rev.A
0
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
I
D
2.5V
3.5V
3.0V
4.0V
V = 10V
6.0V
4.5V
0
10
20
30
40
50
1
1.5
2
2.5
3
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 3.0V
R
D
10V
4.5 V
7.0V
5.5V
4.0 V
3.5 V
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
V = 10V
I = 12.5A
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
.
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =5.0V
DS
J
125°C
25°C
Figure 5 . Transfer Characteristics.
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
40
I
S
25°C
-55°C
V = 0V
TJ
Figure 6 . Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
2
4
6
8
10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
125°C
25°C
I = 6.3A
Figure 4 . On Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
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PDF描述
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