參數(shù)資料
型號(hào)： Si4818DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： SI4818DY
Si4818DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71122
S-31062—Rev. B, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
CHANNEL1
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 6.3 A
-
r
D
)
0.001
0
1
100
40
60
10
0.1
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
20
80
P
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
-0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
J
= 150 C
I
D
= 250 A
40
10
1
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
600
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
-
I
S
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 100 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
100
T
J
= 25 C
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4824DY Asymmetric N-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
SI4825DY P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS = -30V; VGS = ± 25V
Si4830DY-T1 Paired Cable; Number of Conductors:18; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:Solid; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Number of Pairs:9; Voltage Nom.:300V RoHS Compliant: Yes
Si4830ADY Dual N-Ch. mosfet plus Schottky diode;
SI4830DY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI4818DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4818DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4818DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.3/9.5A 22/15.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4820-A10-CU 功能描述:IC RCVR AM/FM MECH TUNER 24-SSOP RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數(shù)據(jù)傳輸率 - 最大:- 調(diào)制或協(xié)議:- 應(yīng)用:* 電流 - 接收:* 數(shù)據(jù)接口:PCB，表面貼裝 存儲(chǔ)容量:- 天線連接器:PCB，表面貼裝 特點(diǎn):- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:40-TQFN-EP（6x6） 包裝:托盤
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