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        • 您現在的位置:買賣IC網 > Datasheet目錄510 > SI4818DY-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Datasheet資料下載
        參數資料
        型號: SI4818DY-T1-GE3
        廠商: Vishay Siliconix
        文件頁數: 2/12頁
        文件大?。?/td> 0K
        描述: MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
        標準包裝: 2,500
        系列: LITTLE FOOT®
        FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
        FET 特點: 邏輯電平門
        漏極至源極電壓(Vdss): 30V
        電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.3A,7A
        開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫歐 @ 6.3A,10V
        Id 時的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
        閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
        功率 - 最大: 1W,1.25W
        安裝類型: 表面貼裝
        封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
        供應商設備封裝: 8-SOICN
        包裝: 帶卷 (TR)
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