參數(shù)資料
型號： SI4470EY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 41K
代理商： SI4470EY
Si4470EY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71606
S-03951—Rev. B, 26-May-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-1.4
-1.0
-0.6
-0.2
0.2
0.6
1.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 65 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0
0.01
30
60
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
1
100
10
40
0.1
50
10
-3
10
-2
1
1000
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4470EY-T1 N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI4480EY N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4480EY-T1 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4486EY-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI4486EY 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
SI4470EY_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SI4470EY-E3 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4470EY-T1 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 1.85W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4470EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4470EY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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