參數(shù)資料
型號： SI4470EY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI4470EY-T1
Si4470EY
Vishay Siliconix
Document Number: 71606
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
15
30
45
60
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 30 V
I
D
= 5 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
2
4
6
8
10
I
D
= 5 A
100
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4480EY N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4480EY-T1 N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4486EY-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI4486EY 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI4493DY P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4470EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4470EY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4472DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI4472DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4472DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*