| 型號(hào)： | SI4462DY-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.15A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫歐 @ 1.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |