參數(shù)資料
型號： SI4435DY
廠商： International Rectifier
英文描述： SHROUD, PRIVACY; RoHS Compliant: Yes
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 30V的，的Rds（on）\u003d 0.020ohm
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： SI4435DY
SI4435DY Rev D1(W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -10V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
V
-6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
=-4.5V
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
-4.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -8.8A
V
GS
= -10V
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-
S
,
V
GS
=0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
S
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PDF描述
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