參數(shù)資料
型號： SI4433DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： SI4433DY
TrenchFET Power MOSFET
Fast Switching
DC-DC Conversion
Asynchronous Buck Converter
Voltage Inverter
Si4433DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71663
S-04245—Rev. A, 16-Jul-01
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.110 @ V
GS
= –4.5 V
–3.9
–20
0.160 @ V
GS
= –2.5 V
–3.2
0.240 @ V
GS
= –1.8 V
–2.6
S
D
S
D
S
D
G
D
SO-8
5
6
7
8
Top View
2
3
4
1
S
G
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–3.9
–2.9
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–2.8
–2.1
Pulsed Drain Current
I
DM
–10
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
–2.1
–1.2
T
A
= 25 C
2.5
1.4
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
1.3
0.7
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
10 sec
40
50
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
75
90
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
19
25
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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