| 型號: | SI4408DY |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述: | N溝道20 - V(下局副局長)MOSFET的 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商: | SI4408DY |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4410BDY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4410BDY-T1 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4410DY | Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| SI4412ADY | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SI4412ADY-T1 | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4408DY-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4408DY-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 21A 1.6W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4408DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20 Volt 21 Amp 3.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4408DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 21A 3.5W 4.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4409DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 150-V (D-S) MOSFET |