參數資料
型號： SI4300DY-TI
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), Reduced Qg Fast Switching MOSFET with Schottky Diode
中文描述： N溝道30 V的（副），減少Qg和快速開關MOSFET和肖特基二極管
文件頁數： 5/5頁
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代理商： SI4300DY-TI
Si4300DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71772
S-03951—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
SCHOTTKY
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
Capacitance
0
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
0
6
12
18
24
30
20
10
0.0001
Reverse Current vs. Junction Temperature
-
I
R
T
J
- Temperature ( C)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
10
1
Forward Voltage Drop
-
I
F
V
F
- Forward Voltage Drop (V)
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
30 V
24 V
0.001
0.01
0.1
1
C
oss
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PDF描述
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