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參數(shù)資料
| 型號： | SI4133-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 35/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4133 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | 頻率合成器 |
| 頻率： | 900MHz ~ 1.8GHz，750MHz ~ 1.5GHz |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4133 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 336-1557 SI4133-EVB-ND |
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Si4133
8
Rev. 1.61
Table 5. RF and IF Synthesizer Characteristics
(VDD = 2.7 to 3.6 V, TA = –40 to 85 °C)
Parameter1
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
XIN Input Frequency
f
REF
2—
26
MHz
Reference Amplifier Sensitivity
VREF
0.5
—
VDD
+0.3 V
VPP
Phase Detector Update Frequency
f
f= fREF/R
0.010
—
1.0
MHz
RF1 VCO Center Frequency Range
fCEN
947
—
1720
MHz
RF1 VCO Tuning Range2
Extended frequency
operation
1850
—
2050
MHz
RF2 VCO Center Frequency Range
fCEN
789
—
1429
MHz
RF Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
IF VCO Center Frequency Range
fCEN
526
—
952
MHz
IFOUT Tuning Range
with IFDIV
62.5
—
1000
MHz
IFOUT Tuning Range from fCEN
Note: LEXT ±10%
–5
—
5
%
RF1 VCO Pushing
Open loop
—
500
—
kHz/V
RF2 VCO Pushing
—
400
—
kHz/V
IF VCO Pushing
—
300
—
kHz/V
RF1 VCO Pulling
VSWR = 2:1, all
phases, open loop
—
400
—
kHzPP
RF2 VCO Pulling
—
300
—
kHzPP
IF VCO Pulling
—
100
—
kHzPP
RF1 Phase Noise
1 MHz offset
—
–132
—
dBc/Hz
RF1 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.9
—
degrees
rms
RF2 Phase Noise
1 MHz offset
—
–134
—
dBc/Hz
RF2 Integrated Phase Error
10 Hz to 100 kHz
—
0.7
—
degrees
rms
IF Phase Noise
100 kHz offset
—
–117
—
dBc/Hz
IF Integrated Phase Error
100 Hz to 100 kHz
—
0.4
—
degrees
rms
Notes:
1. f = 200 kHz, RF1 = 1.6 GHz, RF2 = 1.2 GHz, IFOUT = 550 MHz, LPWR = 0, for all parameters unless otherwise noted.
2. Extended frequency operation only. VDD 3.0 V, QFN only, VCO Tuning Range fixed by directly shorting the RFLA and
RFLB pins. See Application Note 41 for more details on the Si4133 extended frequency operation.
3. From powerup request (PWDN
or SEN during a write of 1 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to RF and IF
synthesizers ready (settled to within 0.1 ppm frequency error).
4. From powerdown request (PWDN
, or SENduring a write of 0 to bits PDIB and PDRB in Register 2) to supply current
equal to IPWDN.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LM113-200.0M | OSC 200.0000 MHZ 3.3V LVDS |
| TC32M6A32K7680 | OSCILLATOR 32.7680 KHZ 1.8V SMD |
| CGH40010F-TB | BOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40010 |
| DV75C-012.8M | OSC TCXO 12.800 MHZ 3.3V SMD |
| 53070C | XFRMR CURR SENSE 10A 1:70 SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4133G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
| SI4133G-BM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述: |
| SI4133G-BMR | 功能描述:射頻無線雜項 CONTACT SILICON LABS FOR AVAILABILITY RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
| SI4133G-BT | 制造商:SILABS 制造商全稱:SILABS 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR GSM AND GPRS WIRELESS COMMUNICATIONS |
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