參數(shù)資料
型號： SI4122M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 24/36頁
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描述： BOARD EVALUATION FOR SI4122
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品： SI4122
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1104
Si4133
30
Rev. 1.61
Table 14. Pin Descriptions for Si4133 Derivatives—QFN
Pin Number
Si4133
Si4123
Si4122
Si4113
Si4112
1
GNDR
GNDD
2
RFLDGNDRRFLD
RFLDGNDD
3
RFLCGNDRRFLC
RFLCGNDD
4
GNDR
GNDD
5
RFLB
GNDR
RFLB
GNDD
6
RFLA
GNDR
RFLA
GNDD
7
GNDR
GNDD
8
GNDR
GNDD
9
GNDR
GNDD
10
RFOUT
GNDD
11
VDDR
VDDD
12
AUXOUT AUXOUT AUXOUT AUXOUT AUXOUT
13
PWDN
14
GNDD
15
XIN
16
GNDD
17
VDDD
18
GNDD
19
IFLA
GNDD
IFLA
20
IFLB
GNDD
IFLB
21
GNDI
GNDD
GNDI
22
GNDI
GNDD
GNDI
23
IFOUT
GNDD
IFOUT
24
VDDI
VDDD
VDDI
25
SEN
26
SCLK
27
SDATA
28
GNDR
GNDD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4113M-EVB BOARD EVALUATION FOR SI4113
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
GLEB24B SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT
ZMN2405HPDB-C ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4123 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4123-BM 功能描述:射頻無線雜項 USE 634-SI4123-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI4123-BMR 功能描述:射頻無線雜項 General Purpose RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI4123-BT 功能描述:射頻無線雜項 USE 634-SI4123-D-GT FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
SI4123-D-GM 功能描述:鎖相環(huán) - PLL SINGLE BAND RF MLP-28 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 類型:PLL Clock Multiplier 電路數(shù)量:1 最大輸入頻率:710 MHz 最小輸入頻率:0.002 MHz 輸出頻率范圍:0.002 MHz to 808 MHz 電源電壓-最大:3.63 V 電源電壓-最小:1.71 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:QFN-36 封裝:Tray
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