參數(shù)資料
型號(hào)： SI3500-A-GM
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 7/18頁
文件大?。?/td> 192K
描述： IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 60
類型： 以太網(wǎng)供電開關(guān)（PoE）
應(yīng)用： IP 電話，LAN 網(wǎng)絡(luò)供電，網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)
內(nèi)部開關(guān)： 是
電流限制： 525mA
電源電壓： 42 V ~ 57 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-QFN（5x5）
包裝： 管件
配用： SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART
SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
其它名稱： 336-1844-5
Si3500
Rev. 1.1
7
2. Typical Application Schematics
Figure 1. Schematic (Non-Isolated 3.3 V Output)*
*Note: This is a simplified schematic. Refer to Si3452 reference design databases for complete application schematic.
Figure 2. Schematic (Isolated 3.3 V Output)*
*Note: This is a simplified schematic. Refer to Si3452 reference design databases for complete application schematic.
Cin
Si3500
24.9 kW
VNEG
RBIAS
68礖
Cout
FB
Cssft
-VOUT
EROUT
SWO
Ccomp
-Vin
+VIN
50V
+VOUT
3.3 V
Optional
Hot swap
damping
C1
Si3500
VNEG
RBIAS
SWO
C3
D1
R5
R7
R6
PS2911
T1
R2
VDD
EROUT
R1
ISOSSFT
R3
C5
C4
R4
C7
D2
D3
C8
-Vin
+VIN
50V
Optional
Hot swap
damping
R8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI3529DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP
Si3540 功能描述:電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 電機(jī)驅(qū)動(dòng)類型:2035 Step 電源電壓:12 V to 35 V 功率額定值:70 W 每轉(zhuǎn)步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA):
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