參數(shù)資料
型號： SI3458DV
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60V（D-S）MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 55K
代理商： SI3458DV
Si3458DV
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70859
S-61517—Rev. B, 12-Apr-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
3
6
9
12
15
0
1
2
3
4
5
0
0.04
0.08
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8
10
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8
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
V
GS
= 10 thru 5 V
25 C
T
C
= 125 C
C
rss
V
DS
= 30 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
3 V
–55 C
4 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
0
100
200
300
400
500
600
0
10
20
30
40
50
60
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI3483DV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET to switch white LED's;
SI3483DV-T1-E3 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3586DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI3590DV N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3863DV AB 47C 1#12 46#16 PIN RECP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI3458DVT1 制造商:VISHAY 功能描述:60V 3.2A 2W
SI3458DV-T1 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3458DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3458DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 3.2A 2.0W 100mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3459BDV 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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