參數資料
型號： SI3420DV-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道200 -五（副）MOSFET的
文件頁數： 1/4頁
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代理商： SI3420DV-T1
FEATURES
100% R
g
Tested
Si3420DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71097
S-31725—Rev. B, 18-Aug-03
www.vishay.com
1
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
200
3.7 @ V
GS
= 10 V
0.5
(1, 2, 5, 6) D
(3) G
(4) S
N-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
Ordering Information: Si3420DV-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
200
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
0.5
0.37
T
A
= 70 C
0.4
0.29
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
1
Avalanche Current
L = 0 1 mH
L = 0.1 mH
I
AS
1
Single Avalanche Energy
E
AS
0.05
mJ
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1
A
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
2.1
1.14
W
T
A
= 70 C
1.34
0.73
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
5 sec
R
thJA
50
60
Steady State
90
110
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
35
42
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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