(VDDA
參數(shù)資料
型號： SI3216MDCQX-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 32/122頁
文件大?。?/td> 0K
描述： DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
標準包裝： 1
系列： ProSLIC®
主要目的： 接口，模擬前端（AFE）
已用 IC / 零件： Si3216
已供物品： 板，CD
Si3216
Rev. 1.0
17
Not
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fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 9. Power Supply Characteristics
(VDDA,VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for K-Grade, –40 to 85 °C for B-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Typ1
Typ2
Max
Unit
Power Supply Current,
Analog and Digital
IA + ID
Sleep (RESET = 0)
0.1
0.13
0.3
mA
Open
33
42.8
49
mA
Active on-hook
ETBO = 4 mA, codec and Gm
amplifier powered down
37
53
68
mA
Active OHT
ETBO = 4 mA
57
72
83
mA
Active off-hook
ETBA = 4 mA, ILIM = 20 mA
73
88
99
mA
Ground-start
36
47
55
mA
Ringing
Sinewave, REN = 1, VPK =56V
45
55
65
mA
VDD Supply Current (Si3201)
IVDD
Sleep mode, RESET = 0
—
100
—
A
Open (high impedance)
—
100
—
A
Active on-hook standby
—
110
—
A
Forward/reverse active off-hook, no
ILOOP, ETBO = 4 mA, VBAT =–24 V
—1—
mA
Forward/reverse OHT, ETBO = 4 mA,
VBAT =–70 V
—1—
mA
VBAT Supply Current
3
IBAT
Sleep (RESET =0)
—
0
—
mA
Open (DCOF = 1)
—
0
—
mA
Active on-hook
VOC = 48 V, ETBO = 4 mA
—
3
—
mA
Active OHT
ETBO = 4 mA
—
11
—
mA
Active off-hook
ETBA = 4 mA, ILIM =20mA
—
30
—
mA
Ground-start
—
2
—
mA
Ringing
VPK_RING =56VPK,
sinewave ringing, REN = 1
—5.5
—
mA
VBAT Supply Slew Rate
When using Si3201
—
10
V/s
Notes:
1. VDDD, VDDA =3.3 V.
2. VDDD, VDDA =5.25V.
3. IBAT = current from VBAT (the large negative supply). For a switched-mode power supply regulator efficiency of 71%,
the user can calculate the regulator current consumption as IBAT x VBAT/(0.71 x VDC).
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PDF描述
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SI3232DCX-EVB DAUGHTER CARD W/DISCRETE INTRFC
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參數(shù)描述
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