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參數(shù)資料
| 型號： | SI3211-KT |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 13/148頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SLIC/CODEC PROG 1CH 38TSSOP |
| 標準包裝： | 50 |
| 系列： | ProSLIC® |
| 功能： | 用戶線路接口概念（SLIC），CODEC |
| 接口： | PCM，SPI |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 電源電壓： | 3.3V，5V |
| 電流 - 電源： | 88mA |
| 功率（瓦特）： | 700mW |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 38-TSSOP |
| 包裝： | 管件 |
| 包括： | BORSCHT 功能，DTMF 生成和解碼，F(xiàn)SK 來電形顯示接收生成，脈沖測量生成，振鈴和電池電壓 |
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Si3210/Si3211
Rev. 1.61
11
Not
Recommended
fo
r N
ew
D
esi
gn
s
Table 5. Monitor ADC Characteristics
(VDDA, VDDD = 3.13 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for F-Grade, –40 to 85 °C for G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Differential Nonlinearity
(6-bit resolution)
DNLE
–1/2
—
1/2
LSB
Integral Nonlinearity
(6-bit resolution)
INLE
–1
—
1
LSB
Gain Error (Voltage)
—
10
%
Gain Error (Current)
—
20
%
Table 6. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =5.0 V
(VDDA,VDDD = 4.75 to 5.25 V, TA = 0 to 70 °C for F-Grade, –40 to 85 °C for G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU:
IO = –4 mA SDO,
DTX:IO =–8mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO =–40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =4mA
SDO,INT,DTX:IO =8mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
Table 7. Si321x DC Characteristics, VDDA =VDDD =3.3 V
(VDDA,VDDD = 3.13 to 3.47 V, TA = 0 to 70 °C for F-Grade, –40 to 85 °C for G-Grade)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
High Level Input Voltage
VIH
0.7 x VDDD
——
V
Low Level Input Voltage
VIL
——
0.3 x VDDD
V
High Level Output Voltage
VOH
DIO1,DIO2,SDITHRU: IO =–2 mA
SDO, DTX:IO =–4mA
VDDD – 0.6
—
V
DOUT: IO = –40 mA
VDDD – 0.8
—
V
Low Level Output Voltage
VOL
DIO1,DIO2,DOUT,SDITHRU:
IO =2mA
SDO,INT,DTX:IO =4mA
——
0.4
V
Input Leakage Current
IL
–10
—
10
A
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