參數(shù)資料
型號(hào)： SI2341DS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： SI2341DS
Si2341DS
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72263
S-31675—Rev. B, 11-Aug-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
I
D
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
T
J
= 150 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Threshold Voltage
Single Pulse Power
Square Wave Pulse Duration (sec)
-
r
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
T
J
- Temperature ( C)
Time (sec)
P
I
D
= 3 A
I
D
= 250 A
V
V
20
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
J
= 25 C
1
T
= 25 C
Single Pulse
Safe Operating Area, Junction-to-Case
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100.0
1.0
0.1
1
10
100
0.01
10.0
0.1
Limited
by r
DS(on)
T
= 25 C
Single Pulse
10 ms
100 ms
10 s
100 s
1 ms
dc, 100 s, 10 s, 1 s
10
8
6
4
2
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2341DS-T1 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3454ADV Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI3454ADV-T1 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI3454ADV-T1-E3 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI3454DV N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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