| 型號: | SI2328DS |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類: | MOSFETs |
| 英文描述: | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述: | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大小: | 41K |
| 代理商: | SI2328DS |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2331DS | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI2333DS | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI2335DS | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI2343DS | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3033C | 5-Terminal, Multi-Function, Full-Mold, Low Dropout Voltage Dropper Type |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI2328DS_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) MOSFET |
| SI2328DS-T1 | 功能描述:MOSFET 100V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI2328DS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 100V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI2328DS-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SI2328DS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 100V 1.5A 1.25W 250mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |