參數(shù)資料
型號(hào)： SI2312DS-T1
廠(chǎng)商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： SI2312DS-T1
Si2312DS
Vishay Siliconix
Document Number: 71338
S-31990—Rev. D, 13-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
300
600
900
1200
1500
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
0
4
8
12
16
20
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0
3
6
9
12
15
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.0 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0
2
4
6
8
I
D
= 5.0 A
20
1
0.01
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
0.1
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
C
rss
10
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PDF描述
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SI2314EDS-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 4.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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