參數(shù)資料
型號： Si2307BDS
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 246K
代理商： SI2307BDS
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si2307BDS
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
2.1
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
10 V
73
A
V
GS
=
10 V, I
D
=
3.2 A
0.061
0.063
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
2.5 A
0.101
0.105
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
10 V, I
D
=
3.2 A
4
5
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
0.75 A, V
GS
= 0 V
0.76
0.85
V
Total Gate Charge
Q
g
8
9
Gate-Source Charge
Q
gs
1.4
1.4
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
=
15 V, V
GS
=
10 V, I
D
=
1.7 A
2.4
2.4
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
12
9
Rise Time
t
r
9
12
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
29
25
Fall Time
t
f
V
DD
=
15 V, R
L
= 15
I
D
1 A, V
GEN
=
10 V, R
G
= 6
9
14
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 72745
S-50383
Rev. B, 21-Mar-05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI2307DS P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2312DS N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2312DS-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI2318DS-T1 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
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