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參數(shù)資料
| 型號： | SI1917EDH |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | SI1917EDH |
Si1917EDH
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71414
S-03174
—
Rev. A, 07-Mar-01
www.vishay.com
5
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2302ADS | N-Channel MOSFET, 20V(D-S) |
| Si2302ADS-T1 | N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
| Si2307BDS | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307DS | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2312DS | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI1917EDH_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI1917EDH-T1 | 功能描述:MOSFET 10V 1.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1917EDH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 10V 1.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1917EDH-T1-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
| SI1917EDWF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:SI1917E IN WAFER FORM - Tape and Reel |
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