參數(shù)資料
型號(hào)： SI1555DL
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary Low-Threshold MOSFET Pair
中文描述： 互補(bǔ)低閾值組MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： SI1555DL
Si1555DL
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71079
S-21374
—
Rev. C, 12-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 0.66 A
1
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
0
3
5
1
2
P
Single Pulse Power
Time (sec)
4
1
100
600
10
10
- 1
10
- 2
10
- 3
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-0.0
0.1
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 400 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
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