| 型號: | SI1501DL |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| 中文描述: | 補充20 - V(下副秘書長)低閾值MOSFET的 |
| 文件頁數(shù): | 1/6頁 |
| 文件大小: | 59K |
| 代理商: | SI1501DL |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1539DL | Complementary 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1551DL | Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1563DH | Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| Si1563EDH | Complementary 20-V (D-S) Low-Threshold MOSFET |
| SI1900DL | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI1501DL-T1 | 功能描述:MOSFET 20 0.25/0.18 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1501DL-T1-E3 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.25A/0.18A 6-Pin SC-70 T/R |
| SI150M100 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
| SI150M16 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |
| SI150M160 | 制造商:NTE 制造商全稱:NTE Electronics 功能描述:SNAP-IN MOUNT ALUMINUM ELECTROLYTIC |