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參數(shù)資料
| 型號： | SI1033X |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | SI1033X |
Si1033X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
2
Document Number: 71428
S-03201
—
Rev. A, 12-Mar-01
!"#
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
a
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
–
250 A
–
0.40
–
1.20
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
2.8
V
0.5
1
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
4.5
V
1
2
A
V
DS
=
–
16 V, V
GS
= 0 V
–
1
–
500
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
=
–
16 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85 C
–
10
A
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
–
5 V, V
GS
=
–
4.5 V
–
200
mA
V
GS
=
–
4.5 V, I
D
=
–
150 mA
8
V
GS
=
–
2.5 V, I
D
=
–
125 m A
12
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
–
1.8 V, I
D
=
–
100 m A
15
V
GS
=
–
1.5 V, I
D
=
–
30 m A
20
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
–
10
V, I
D
=
–
150 mA
0.4
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
=
–
150 mA, V
GS
= 0 V
–
1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
1500
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
=
–
10 V,
V
GS
=
–
4.5 V, I
D
=
–
150 mA
150
pC
Gate-Drain Charge
Q
gd
450
Turn-On Delay Time
t
d(on)
55
Rise Time
t
r
V
=
–
10 V, R
L
= 65
–
150 mA, V
GEN
=
–
4.5 V, R
G
= 10
30
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
I
D
60
ns
Fall Time
t
f
30
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
Guaranteed by design, not subject to production testing.
300 s, duty cycle
2%.
!
#
0
100
200
300
400
500
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
= 5 thru 2.5 V
T
J
=
–
55 C
125 C
2 V
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
1.8 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SI1033X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| Si1034-A-GMR | 功能描述:射頻微控制器 - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:Si100x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LGA-42 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Tube |
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