型號: | SGW30N60 |
廠商: | SIEMENS A G |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
中文描述: | 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC |
文件頁數(shù): | 9/12頁 |
文件大?。?/td> | 268K |
代理商: | SGW30N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SGD-100T | C to X Band, Mixer, Modulator Applications |
SGD-100 | GaAs Schottky Barrier Diode(C to X Band, Mixer, Modulator Applications)(應(yīng)用于C到X帶寬,混頻器和調(diào)制器的砷化鎵肖特基勢壘二極管) |
SGD102 | C to X Band, Mixer, Modulator Applications |
SGF29 | For C to Ku-band Local Oscillator and Amplifier |
SGF31 | For C to Ku-band Local Oscillator and Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SGW30N60 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT FAST |
SGW30N60FKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 41A 250W TO247-3 |
SGW30N60HS | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGW30N60HSFKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 41A 250W TO247-3 |
SGW40N60UFTM | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |