參數(shù)資料
型號(hào)： SGW20N60
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast S-IGBT in NPT-technology
中文描述： 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 275K
代理商： SGW20N60
SGP20N60
SGB20N60, SGW20N60
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
70A
80A
90A
100A
110A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
100A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=4
μ
s
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 400V,
V
GE
= 0/+15V,
R
G
= 16
)
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0W
20W
40W
60W
80W
100W
120W
140W
160W
180W
200W
I
C
,
C
25°C
50°C
75°C
100°C
125°C
0A
10A
20A
30A
40A
50A
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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PDF描述
SGB20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGP20N60 Fast S-IGBT in NPT-technology
SGP20N60 Short Circuit Rated IGBT
SGW20N60 CAP 33PF 200V 5% NP0(C0G) AXIAL TR-14
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參數(shù)描述
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SGW20N60HS 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED NPT TECH 600V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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SGW20N60RUFTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/ 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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