參數(shù)資料
型號(hào)： SGW02N120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast IGBT in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約快速IGBT技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大小： 310K
代理商： SGW02N120
SGW02N120
Power Semiconductors
10
Rev. 2 Jan. 05
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
Figure E. Dynamic test circuit
Leakage inductance L
σ
=180nH,
and stray capacity C
σ
=40pF.
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PDF描述
SGW10N60 Fast IGBT in NPT-technology
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參數(shù)描述
SGW02N120_06 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology
SGW10N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60A 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW10N60AFKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3
SGW10N60RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
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