參數(shù)資料
型號(hào)： SGP10N60RUFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Short Circuit Rated IGBT
中文描述： 16 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 597K
代理商： SGP10N60RUFD
SGP10N60RUFD Rev. A1
S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 10mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 16A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
6.0
2.2
2.5
8.5
2.8
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
660
115
25
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn
-
On Switching Loss
E
off
Turn
-
Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
V
CC
= 300 V, I
C
= 10A,
R
G
= 20
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
30
36
158
141
215
356
16
33
42
242
161
452
613
--
--
50
200
--
--
500
--
--
60
350
--
--
860
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
V
CC
= 300 V, I
C
= 10A,
R
G
= 20
, V
GE
= 15V
,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
T
sc
Short Circuit Withstand Time
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100
°
C
10
--
--
us
Q
g
Q
ge
Q
gc
L
e
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V
CE
= 300 V, I
C
= 10A,
V
GE
= 15V
--
--
--
--
30
5
8
7.5
45
10
16
--
nC
nC
nC
nH
Measured 5mm from PKG
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.4
1.3
42
60
3.5
5.6
80
220
Max.
1.7
--
60
--
6.0
--
180
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 12A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 12A,
di/dt = 200A/
μ
s
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SGP13N60UFD Ultra-Fast IGBT(超快速絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGP13N60UF Ultra-Fast IGBT
SGP15N60RUF Short Circuit Rated IGBT(短路電流額定的絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
SGP23N60UFD Ultra-Fast IGBT(超快速絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
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SGP13N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGP13N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
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